MFO6502Teseq MFO6502 EMC測(cè)試主機(jī)

抗擾度測(cè)試模擬發(fā)生器 NSG 3040NSG3040系統(tǒng)設(shè)計(jì)于滿足用于CE標(biāo)志測(cè)試的傳導(dǎo)EMC測(cè)試需要，它一般包括組合波、EFT脈沖和PQT。強(qiáng)大的擴(kuò)展能力使得該系統(tǒng)具有更廣泛的應(yīng)用范圍。 l 成熟、*的“主-從"概念技術(shù)使得單個(gè)脈沖模塊能夠獨(dú)立校準(zhǔn)，并將校準(zhǔn)資料和修正系數(shù)存儲(chǔ)于從控制器上。新模塊安裝簡(jiǎn)便，無(wú)需返回整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)。 l 由于采用技術(shù)良好的組件，NSG 3040在開(kāi)關(guān)切換技術(shù)和相位精度方面建立了新的標(biāo)準(zhǔn)，并且超越了現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)的要求。

l 各參數(shù)值均為高度可視的，通過(guò)大的觸摸輸入鍵可以迅速選擇并修改這些參數(shù)值。該操作不需要觸控筆，測(cè)試參數(shù)可以迅速、簡(jiǎn)便地編輯出來(lái)?？梢院?jiǎn)便地進(jìn)行多步驟測(cè)試程序的增加、程序次序及參數(shù)值的修改。 l 選擇“高級(jí)模式"后，用戶可以在測(cè)試中使用滾輪進(jìn)行手動(dòng)參數(shù)修改-有效、迅速地簡(jiǎn)化激活關(guān)鍵閾值的方法。 l 通過(guò)易操作的SD讀卡器可進(jìn)行固件快速下載?？梢酝暾谋４嬗捎脩舻臏y(cè)試。在存儲(chǔ)空間不夠的特殊情況下，可用市場(chǎng)購(gòu)買(mǎi)的SD記憶卡更換該記憶卡，而存放其中的測(cè)試文件可被輕松復(fù)制進(jìn)更大內(nèi)存的SD卡中。 l NSG3040具有以太網(wǎng)端口，可接受來(lái)自個(gè)人電腦的外部控制。Windows軟件簡(jiǎn)化了測(cè)試程序并允許為各種類型的測(cè)試編寫(xiě)復(fù)雜的測(cè)試序列。在測(cè)試進(jìn)程中，操作人員可以進(jìn)行觀察并在測(cè)試操作中生成測(cè)試報(bào)告，以此增加長(zhǎng)期測(cè)試的效率。

產(chǎn)品特點(diǎn)：A. 模塊化、可擴(kuò)展系統(tǒng)B. 浪涌電壓可達(dá)4.4kVC. EFT/脈沖群可達(dá)4.8 kV/1 MHZD. PQT至16 A/260 VAC & DCE. 易操作的7"彩色觸摸屏F. DTA(直接測(cè)試程序調(diào)用)功能可提供G. 快速標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試H. 測(cè)試過(guò)程中可修改參數(shù)I. 具有大量可選測(cè)試配件 該設(shè)備可進(jìn)行以下測(cè)試： ? 組合波脈沖1, 2/50 ~ 8/20MS(組合浪涌脈沖)： 脈沖符合EC/EN 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)錨點(diǎn)技術(shù)參數(shù)：脈沖電壓（開(kāi)路）： +200 V至4.4 kV（以1 V為步長(zhǎng)）脈沖電流（短路）： +100 A至2.2 kA阻抗： 2/12 Ω極性： 正/負(fù)/交替脈沖重復(fù)周期： 10 s至600 s（以1 s為步長(zhǎng)）測(cè)試時(shí)間 ： 1至9999個(gè)脈沖，不間斷相位同步： 異步、同步0至359°（以1°為步長(zhǎng)）耦合： 外部/內(nèi)部

脈沖群(EFT)5/50 ns： 脈沖符合EC/EN 61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)參數(shù)：脈沖幅度： +200 V至4.8 kV（以1 V為步長(zhǎng)），開(kāi)路 +100 V至2.4 kV（50 Ω匹配系統(tǒng)）脈沖群頻率： 100 Hz至1000 kHz極性： 正/負(fù)/交替重復(fù)時(shí)間： 1 ms至4200 s (70 min)脈沖群時(shí)間： 1 us至1999 s，單脈沖，不間斷測(cè)試時(shí)間： 1 s至1000 h相位同步： 異步、同步0至359°(以1°為步長(zhǎng))耦合： 外部/內(nèi)部 ? 電壓暫降&電壓跌落： 符合EC/EN 61000-4-11標(biāo)準(zhǔn)錨點(diǎn)技術(shù)參數(shù)：電壓暫降&電壓跌落： 從EUT輸入電壓跌至0 V、0%帶有可選自耦變壓器的Uvar： 取決于型號(hào)（VAR 650x）帶有步進(jìn)式變壓器的Uvar： 0、40、70、80% (INA650x)峰值沖擊電流能力： 500 A (230V時(shí))開(kāi)關(guān)時(shí)間： 1至5 MS（100 0負(fù)載）周期時(shí)間： 20 us至1999 s、循環(huán)1至99’999次測(cè)試時(shí)間： 1 s至70’000 min，1至99’999個(gè)周期，不間斷重復(fù)時(shí)間： 40 MS至35 min、循環(huán)1至99999次相位同步： 異步、同步0―359°（以1°為步長(zhǎng)）

MFO6502Teseq MFO6502 EMC測(cè)試主機(jī)

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Agilent 83483A 雙通道電模塊

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Agilent 83487A 光電模塊

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Agilent 83494A 單模時(shí)鐘恢復(fù)模塊

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Agilent 86105A 光電模塊

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Agilent 86142B 高性能光譜分析儀

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Ericsson FSU-975 光纖熔接機(jī)

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Keithley 2400 數(shù)字源表

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Keithley 2500 數(shù)字源表

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KEITHLEY 6221 電流源表

Keysight 11708A 衰減器墊

Keysight 3458A 數(shù)字多用表

Keysight 34903A GP開(kāi)關(guān)模塊

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Keysight 81634B 低偏振相關(guān)光功率傳感器

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YOKOGAWA AQ2200-421 單槽型光開(kāi)關(guān)

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